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CMP:中國能否突破“芯片平整”壁壘,改寫全球半導體產(chǎn)業(yè)格局?

中投網(wǎng)2025-05-22 08:05 來源:中投顧問產(chǎn)業(yè)研究大腦

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為什么CMP是半導體制造的“終極工藝”?

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國化學機械拋光(CMP)技術行業(yè)深度調研及投資前景預測報告》指出:

  • 技術革命:從“粗拋”到“原子級拋光”,中國“多晶金剛石拋光液”實現(xiàn)表面粗糙度<0.1nm(國際平均0.5nm),良率提升20%;

  • 市場碾壓2030年全球CMP市場規(guī);蜻_350億美元(中國占30%),顛覆邏輯芯片、存儲芯片、第三代半導體三大萬億賽道;

  • 國家死局:美國《芯片與科學法案》砸千億美元補貼CMP設備研發(fā),中國“十四五”規(guī)劃將其列為“半導體自主可控”核心戰(zhàn)場。

一、行業(yè)圖譜:CMP的“技術密碼”

技術定義與核心場景

  • 技術原理:通過化學腐蝕(氧化硅/金屬氧化物)與機械研磨(多晶金剛石磨料)協(xié)同作用,實現(xiàn)芯片表面原子級平整。

  • 核心技術場景

圖表:化學機械拋光(CMP)核心技術場景

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

二、技術成熟度曲線:CMP的“技術代差”與商業(yè)化進度

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,基于Gartner模型,CMP核心技術處于成長期向成熟期過渡階段,但中美差距顯著:

圖表:化學機械拋光(CMP)技術成熟度研判

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

三、五大維度深度分析

(一)行業(yè)發(fā)展階段

圖表:化學機械拋光(CMP)行業(yè)發(fā)展階段

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,技術代差集中于磨料壽命與在線監(jiān)測系統(tǒng),資本依賴政府主導,商業(yè)化瓶頸為廢液回收體系缺失(國內僅20%項目配置回收產(chǎn)線)。

(二)市場需求空間

圖表:化學機械拋光(CMP)市場需求空間

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,核心增長極為存儲芯片HBM拋光(單顆芯片CMP成本較傳統(tǒng)DRAM高3倍),技術替代彈性取決于國產(chǎn)設備突破(需實現(xiàn)28nm以下制程兼容)。

(三)技術進步

圖表:化學機械拋光(CMP)技術指標對比

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,卡脖子環(huán)節(jié)為多晶金剛石磨料合成工藝與氧化鈰拋光液配方,國產(chǎn)替代需突破納米級分散技術(進口依賴度>90%)。

(四)資本支持

圖表:化學機械拋光(CMP)產(chǎn)業(yè)資本支持情況對比

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,中國資本錯配嚴重(每億美元研發(fā)產(chǎn)出僅為歐美1/3),需建立“設備-材料-回收”全鏈條協(xié)同(如北方華創(chuàng)與格林美合作廢液再生)。

(五)政策環(huán)境

圖表:化學機械拋光(CMP)產(chǎn)業(yè)國內外政策對比

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

中投產(chǎn)業(yè)研究院認為,政策紅利窗口期為2025-2030年,地緣風險集中于CMP設備專利壁壘(Applied Materials持有核心專利超1000項)。

四、投資建議:三大戰(zhàn)略方向

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國化學機械拋光(CMP)技術行業(yè)深度調研及投資前景預測報告》提出:

(一)優(yōu)先賽道

  • 篩選標準:技術可行性(國產(chǎn)化率>70%)+政策確定性(補貼力度>$50/片)

  • 推薦領域

    • 多晶金剛石磨料(中微公司壽命突破6000片)
      | 氧化鈰拋光液(江豐電子純度提升至99.99%)

(二)長期布局

  • 高壁壘賽道

    • 在線監(jiān)測AI算法(商湯科技缺陷檢測速度提升至1秒/片)
      | 廢液回收技術(格林美金屬再生率突破95%)

  • 產(chǎn)學研標的:中微公司(CMP設備市占率25%)+ 上海新昇(HBM拋光液量產(chǎn))

(三)風險對沖

  • 低風險環(huán)節(jié)

    • CMP輔助設備(毛利率>50%)
      | 晶圓再生服務(國產(chǎn)替代空間>60%)

五、風險預警:三大致命雷區(qū)

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國化學機械拋光(CMP)技術行業(yè)深度調研及投資前景預測報告》預警:

  1. 技術路線賭局:干法拋光 vs. 濕法拋光(前者成本低但良率差);

  2. 專利絞殺Applied Materials持有CMP設備專利超800項,覆蓋全球70%市場;

  3. 地緣絞殺:美國EAR管制新增多晶金剛石出口限制(影響>80%國產(chǎn)設備生產(chǎn))。

六、結語:中國CMP的“破局公式”

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國化學機械拋光(CMP)技術行業(yè)深度調研及投資前景預測報告》建議:

技術突圍 = 設備突破 × 材料升級 × 全球認證

  • 企業(yè)行動

    • 研發(fā)側:綁定中科院上海硅酸鹽所(納米磨料實驗室);

    • 產(chǎn)業(yè)側:收購美國Applied Materials細分技術團隊;

    • 資本側:避開低端內卷,聚焦HBM拋光液(Pre-IPO估值折價60%)。

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